電影大片《速度與激情8》詮釋了——開快車易脫發，七大主演中四個光頭的場面讓人捧腹。在消費電子領域，同樣上演著速度與金錢的博弈。

相比消費者熟知的摩爾定律，定義計算機幾十年的馮·諾依曼結構更加不可撼動。為了填補處理器與硬盤的速度差距，我們用上了高速緩存、運行內存等不同存儲介質。

隨著存儲行業快速的技術迭代，LPDDR4X、UFS2.1等產品紛紛面市。據外媒Patently Apple消息，MRAM有望真正商業化，取代DRAM和NAND Flash，具有顛覆性意義。

什么是MRAM

MRAM（Magnetoresistive random-access memory）即磁阻式隨機存儲器，介于DRAM和NAND Flash之間。相比于DRAM，它具有非易失性；相比于NAND Flash，它的速度快上1000倍。

三星在去年7月聯合IBM展示了用于服務器、數據中心的MRAM，并計劃在5月24日的晶圓廠論壇活動中公布全新的MRAM。三星加入了自旋轉矩技術（STT），可以加大降低功耗。

MRAM的應用前景

由于兼具DRAM和NAND Flash的特性，MRAM被認為是一種通用型存儲器，能夠讓手機實現內存/閃存二合一。據外媒phonearena報道，三星目前無法生產出超過幾兆字節MRAM，因此MRAM目前只適用于作為處理器的高速緩存。

不過，我們依然看好MRAM的應用前景。據知名爆料人士@i冰宇宙消息，未來MRAM將具備更大容量，作為閃存和內存二合一的存儲體，上市節點可能在2020年以后。

如果這一愿景成真，那么我們無需區分RAM和ROM，逆天的512G/1TB內存不再是夢想。馮·諾伊曼結構將面臨前所未有的挑戰，未來還真是讓人期待呢。